smallB
2002-02-25, 19:12:25
"IBM präsentiert 110-GHz-Chip
IBM hat heute einen Chip für Hochgeschwindigkeitsnetzwerke vorgestellt, der Datenübertragungsraten von über 100 Gigabit pro Sekunde erlaubt. Der Chip, den IBM in Zusammenarbeit mit Sierra Monolithics entwickelt hat, basiert auf Silizium-Germanium-Technologie. Er soll nach Angaben von IBM Ende des Jahres auf den Markt kommen.
Wegen seiner höheren Ladungsträgerbeweglichkeit eignet sich Germanium besonders gut für den Einsatz in Hochfrequenzbauelementen, wie sie in der Breitband-Kommunikationstechnik zum Einsatz kommen. Mischprozesse, die die Verarbeitung von Silizium und Germanium auf einem Wafer zulassen, ermöglichen die Integration von Logik- und Hochfrequenzschaltungsteilen auf einem Chip. Es gibt allerdings sehr unterschiedliche SiGe-Verfahren. Motorola und das Frankfurter IHP entwickelten beispielsweise einen optimierten Silizium-Germanium-Kohlenstoff-Prozess; auch IBM bietet einen SiGe-Prozess an, ebenso wie Atmel.
Mitte 2001 hatten die IBM-Entwickler einen bipolaren Silizium-Germanium-Transistor mit einer Transitfrequenz von 210 GHz vorgestellt. (wst/c't)"
quelle: heise.de
wie? warum? hhäää? echt? ne oda?
IBM hat heute einen Chip für Hochgeschwindigkeitsnetzwerke vorgestellt, der Datenübertragungsraten von über 100 Gigabit pro Sekunde erlaubt. Der Chip, den IBM in Zusammenarbeit mit Sierra Monolithics entwickelt hat, basiert auf Silizium-Germanium-Technologie. Er soll nach Angaben von IBM Ende des Jahres auf den Markt kommen.
Wegen seiner höheren Ladungsträgerbeweglichkeit eignet sich Germanium besonders gut für den Einsatz in Hochfrequenzbauelementen, wie sie in der Breitband-Kommunikationstechnik zum Einsatz kommen. Mischprozesse, die die Verarbeitung von Silizium und Germanium auf einem Wafer zulassen, ermöglichen die Integration von Logik- und Hochfrequenzschaltungsteilen auf einem Chip. Es gibt allerdings sehr unterschiedliche SiGe-Verfahren. Motorola und das Frankfurter IHP entwickelten beispielsweise einen optimierten Silizium-Germanium-Kohlenstoff-Prozess; auch IBM bietet einen SiGe-Prozess an, ebenso wie Atmel.
Mitte 2001 hatten die IBM-Entwickler einen bipolaren Silizium-Germanium-Transistor mit einer Transitfrequenz von 210 GHz vorgestellt. (wst/c't)"
quelle: heise.de
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