was genau ist "transistor capacitance"

[saaya]

was genau ist "transistor capacitance" ?

intel gibt das als grosses problem in ihrem 90nm prozess an, und das es mit hoeheren verlusststroemen und staerkerer abwaerme zu tun hat ist mir auch schon bewusst, aber wie genau das zusammenhaengt und was die transistoren kapazitanz (?) jetzt genau ist weiss ich nicht.

bitte um erleuchtung :D

[ilPatrino]

laienhafte kurzfasssung: jeder transistor reagiert beim umschalten wie eine kapazität. das gate muß quasi "umgeladen" werden, damit die transe schaltet. das bedeutet, daß ein gewisser strom fließen muß, um die umladung aufzubauen. je schneller die transe schalten soll, desto höher muß der strom ausfallen. anscheinend hat sich durch die kleineren strukturen die kapazität der transistoren nicht genügend verkleinert, um die schiere menge der neu hinzugekommenen transistoren auszugleichen. intel hatte sich hier offenbar mehr erhofft...

ohne garantie auf richtigkeit, e-technik ist schon ne weile her (und bloß ein hobby)

[saaya]

habs immernoch nicht verstanden :(

aber danke! :)

[Stone2001]

was genau ist "transistor capacitance" ?

intel gibt das als grosses problem in ihrem 90nm prozess an, und das es mit hoeheren verlusststroemen und staerkerer abwaerme zu tun hat ist mir auch schon bewusst, aber wie genau das zusammenhaengt und was die transistoren kapazitanz (?) jetzt genau ist weiss ich nicht.

bitte um erleuchtung :D
Transistor capacitance ist nichts anderes als die Kapazität eines Transistors! ;) (dict.leo.org ruled) Gemeint ist hier die Gatekapazität. Es gibt auch noch andere Kapazitäten, die spielen vorallem bei der Simulation der Transistoren eine Rolle und sind eigentlich unerwünscht.
Das Gate bildet zusammen mit dem Substrat und dem Gateoxid einen Plattenkondensator. Dieser Kondensator erzeugt das elektrische Feld, das den Kanal leitend macht. Die Feldstärke wirkt sich direkt auf den Drainstrom aus, ohne Feld kein Drainstrom. Also sollte das Feld möglichst schnell aufgebaut werden, was wiederrum aber bedeutet, das ich eine hohe Spannung brauche, damit die Ladungen schnell transportiert werden können und sich das Feld schnell aufbaut.
Hohe Spannung aber verursachen hohe Verlustleitungen, was zu viel Abwärme führt. Also muß man einen Kompromiss finden zwischen hohem Takt und Abwärme.
Ich hoffe, ich konnte dich erleuchten! ;)

@ilPatrino:
Ich finde die Skalierung vom 130nm Prozess zum 90nm Prozess von Intel äußerst gelungen. Der Prescott verbraucht nur wenig mehr als der Northwood hat aber 70 Mio. Transistoren mehr. Deswegen hinkt auch ein Vergleich zwischen Northwood und Prescott immer etwas. (was die Verlustleistung angeht)

[BlackBirdSR]

@ilPatrino:
Ich finde die Skalierung vom 130nm Prozess zum 90nm Prozess von Intel äußerst gelungen. Der Prescott verbraucht nur wenig mehr als der Northwood hat aber 70 Mio. Transistoren mehr. Deswegen hinkt auch ein Vergleich zwischen Northwood und Prescott immer etwas. (was die Verlustleistung angeht)

Darum lohnt sich ein Banias-Dothan und notfalls Madison-Montecito Vergleich schon eher um die Auswirkungen von 130->90nm zu beobachten.

[Tomislav]

Darum lohnt sich ein Banias-Dothan und notfalls Madison-Montecito Vergleich schon eher um die Auswirkungen von 130->90nm zu beobachten.

Sorry aber peinliche Aussage, für das was du jetzt hier machst haben wir in meiner Kindheit das Lineal in die Hand genommen und nachgemessen.

[BlackBirdSR]

Sorry aber peinliche Aussage, für das was du jetzt hier machst haben wir in meiner Kindheit das Lineal in die Hand genommen und nachgemessen.

Führ das doch mal aus.
Ich glaube ich steige nicht so ganz hinter das was du mir sagen wolltest.
thx

[saaya]

Sorry aber peinliche Aussage, für das was du jetzt hier machst haben wir in meiner Kindheit das Lineal in die Hand genommen und nachgemessen.

sie meinen?

und danke fuer die erklaerung! :)

stimmt, wenn man den dothan betrachtet scheint intel doch keine allzu grossen probleme mit 90nm zu haben, mit dem yield vieleicht... aber nicht was leckstroeme angeht, dass schein ein architektur problem des prescotts zu sein.

[Stone2001]

stimmt, wenn man den dothan betrachtet scheint intel doch keine allzu grossen probleme mit 90nm zu haben, mit dem yield vieleicht... aber nicht was leckstroeme angeht, dass schein ein architektur problem des prescotts zu sein.
Generell muß man sagen, das der 90nm Prozess fast überwiegend hält, was man sich von ihm versprochen hat. Es gibt mehr Prozessoren, denen der Umstieg auf 90nm gut getan hat, Transmeta Efficeon oder IBMs PowerPC 970 z.B. als negative Beispiele!

[ilPatrino]

@ilPatrino:
Ich finde die Skalierung vom 130nm Prozess zum 90nm Prozess von Intel äußerst gelungen. Der Prescott verbraucht nur wenig mehr als der Northwood hat aber 70 Mio. Transistoren mehr. Deswegen hinkt auch ein Vergleich zwischen Northwood und Prescott immer etwas. (was die Verlustleistung angeht)

dagegen sag ich ja auch nix (weil ichs ähnlich sehe); aber anscheinend hat sich intel etwas mehr davon erhofft, als am ende rausgekommen ist...

[Stone2001]

dagegen sag ich ja auch nix (weil ichs ähnlich sehe); aber anscheinend hat sich intel etwas mehr davon erhofft, als am ende rausgekommen ist...
Da ich es nicht genau weiß, würde ich mal darauf tippen, das die Marketing-Experten mal wieder etwas versprochen haben, was die Technologen nie versprochen hätten. ;) Hauptsache es ist gut für die Werbung. ;)