AMD: 65nm bereits mit Germanium Prozessor (40% Leistungszuwachs)

[stav0815]

Quelle (http://www.planet3dnow.de/cgi-bin/newspub/viewnews.cgi?id=1133901903)

An "Germanium-Prozessoren" wird schon seit Jahren intensiv geforscht, der rechte Durchbruch ist bisher aber nicht gelungen. Nun sollen es IBM und AMD allerdings nach eigenen Angaben geschafft haben, embedded Silicon Germanium (e-SiGe) mit Dual Stress Liner (DSL; aka Strained Silicon) und Stress Memorization technology (SMT) auf SOI-Wafern zu kombinieren. Als Folge davon soll die Transistor-Leistung um bis zu 40 Prozent steigen, was höher getaktete Prozessoren bei niedriger Verlustleistung ermöglicht

Hoffentlich gefährdet es den Zeitplan nicht! Hört sich aber schonmal nich schlecht an, von Intel hört man diesbezüglich ja weniger...

[Trap]

Als Folge davon soll die Transistor-Leistung um bis zu 40 Prozent steigen
Leicht verwirrend, "performance" mit "Leistung" zu übersetzen, wenn man im gleichen Satz von Verlustleistung schreibt.

[stav0815]

Leicht verwirrend, "performance" mit "Leistung" zu übersetzen, wenn man im gleichen Satz von Verlustleistung schreibt.
Tja, that's life.

[pippo]

Hoffentlich gefährdet es den Zeitplan nicht! Hört sich aber schonmal nich schlecht an, von Intel hört man diesbezüglich ja weniger...

Denke das ist für den geänderten Zeitplan verantwortlich. Eigentlich wär die 65nm Produktion ja schon in den kommenden Monaten angelaufen

[up¦²]

http://www.hkepc.com/bbs/attachments_dir/ext_jpg/amd65_umEKFqSJfvBl.jpg
http://www.hkepc.com/bbs/viewthread.php?tid=517265

Showtime! :smile:

Die PM:
AMD und IBM präsentieren 65-nm-Prozesstechnologien für Hochleistungsprozessoren mit geringem Leistungsverbrauch

Beide Unternehmen wollen die Entwicklungsergebnisse nutzen, um kommende Mikroprozessoren mit noch mehr Leistung und geringerem Energieverbrauch zu entwickeln

Washington, D.C., -- 5. Dezember 2005 --AMD und IBM präsentierten auf dem International Electron Devices Meeting (IEDM) in Washington, D.C., ihre Fortschritte bei der Entwicklung neuer Prozesstechnologien und Materialien zur Herstellung von Hochleistungsprozessoren mit Halbleiterstrukturen von 65 nm.

So gaben beide Unternehmen bekannt, dass es gelungen sei, Embedded Silizium-Germanium (e-SiGe) mit Dual Stress Liner (DSL) und Stress Memorization Technologie (SMT) auf SOI-Wafern (Silicon-On-Insulator) zu kombinieren und somit gegenüber ähnlichen Chips, die ohne Stress-Technologie hergestellt werden, eine 40 Prozent höhere Transistorleistung zu erzielen, bei gleichzeitiger Kontrolle über den Stromverbrauch sowie die Verlustwärme.

Bei den neuen Prozesstechnologien kommen Isolationsmaterialien mit niedrigeren dielektrischen Konstanten (Lower-K) zum Einsatz, die kürzere Signallaufzeiten durch die Interconnects ermöglichen und somit die Leistung der Produkte verbessern und den Leistungsverbrauch senken. Die neuen Technologien lassen sich zur Produktion von Chips mit 65-nm-Strukturen einsetzen und sind aufgrund ihrer Skalierbarkeit auch zur Fertigung kommender Prozessor-Generationen nutzbar.

„Unsere Zusammenarbeit bei der Entwicklung moderner Prozesstechnologien beweist erneut unsere Fähigkeit, die leistungsstärksten Prozessoren herzustellen, die extrem wenig Strom verbrauchen,“ so Nick Kepler, AMDs Vice President of Logic Technology Development. „Mit diesen Errungenschaften erweitern wir die Liste unserer Erfolge und zeigen, wie sich mit gemeinsam genutztem Know-how und den Fähigkeiten beider Unternehmen Hindernisse beseitigen und wertvolle Innovationen für unsere Kunden realisieren lassen.“

„Wir sind überzeugt, dass unsere Entwicklungspartnerschaft mit AMD in East Fishkill, N.Y., der richtige Weg ist, um bei Hochleistungschips mit Strukturen, die fast im atomaren Bereich liegen, Probleme mit dem Leistungsverbrauch und der Wärmeentwicklung zu lösen,“ so Gary Patton, Vice President, Technology Development, von IBMs Semiconductor Research and Development Center. „Die erfolgreiche Nutzung führender Technologien von IBM, AMD und unseren Partnern zur Entwicklung von 65-nm-Chips demonstriert die Stärke unseres gemeinsamen Innovationsmodells.“

Weitere Einzelheiten über die technologischen Innovationen der dritten Strain-Generation von AMD und IBM wurden auf dem „2005 IEEE International Electron Devices Meeting“ bekannt gegeben, das vom 5. bis 7. Dezember in Washington, D.C., stattfand. Die Technologie wurde im Rahmen eines Entwicklungsabkommens zwischen AMD und IBM in AMDs Halbleiterwerk in Dresden sowie im IBM Semiconductor Research and Development Center in East Fishkill, N.Y., entwickelt.


http://www.amd.com/de-de/Corporate/VirtualPressRoom/0,,51_104_543~103127,00.html :wink:

[Coda]

Germanium :eek:

[StefanV2]

Noch ein Detail am Rande:

SI hat 'ne DUrchbruchsspannung von 0,7V
GE hat 'ne Durchbruchsspannung von 0,3V

Oder andersrum gesagt:
Ein GE Halbleiter kann mit einer geringeren Spannung betrieben werden als ein SI Halbleiter.

[Hauwech]

Was für ähnliche Chips werden denn ohne Stress-Technologie hergestellt? Irgendwie kann ich mir darunter zur Einordnung in eine Leistungsklasse nichts vorstellen. K8 + 40% zum Beispiel?

[Tigerchen]

Germanium :eek:


Passt ja gut zum germanischen Standort. ;D

Im Ernst. Damit dürften gewisse vergleichende Intelfolien über zukünftige Entwicklungen aus den letzten Monaten wohl nur noch Makulatur sein.

[svenw]

Interessant finde ich, das beide Seiten (intel und AMD) die "Durchbrüche" fast gleichzeitig verkünden. Die nächste Frage dürfte aber der Preis sein, wieviel mehr kosteten die neuen Prozesse?

Was ich mich auch immer mehr frage: Warum sollten Notebooks mehr Rechenleistung brauchen? Das was heute an Rechenleistung in Notebooks steckt reicht für notebook Zwecke völlig und ist eher zuviel. Das "high-End-Spiele-Notebook" ist IMHO Blödsinn und für alles andere reicht die heutige Power dicke. Das einzige was man machen sollte sit den sTromverbrauch zu senken und nicht die REchenleistung erhöhen!

[Gandharva]

Denke das ist für den geänderten Zeitplan verantwortlich. Eigentlich wär die 65nm Produktion ja schon in den kommenden Monaten angelaufen
nein, ist es nicht. für dresden war schon immer der start mit 90nm geplant.

Was ich mich auch immer mehr frage: Warum sollten Notebooks mehr Rechenleistung brauchen? Das was heute an Rechenleistung in Notebooks steckt reicht für notebook Zwecke völlig und ist eher zuviel. Das "high-End-Spiele-Notebook" ist IMHO Blödsinn und für alles andere reicht die heutige Power dicke. Das einzige was man machen sollte sit den sTromverbrauch zu senken und nicht die REchenleistung erhöhen!

im umkehrschluss heisst das ja nix anderes als: 40% weniger stromverbrauch bei gleichbleibender taktrate. so sehe ich das zumindest.

[Cyphermaster]

Bei den Prozessoren finde ich das noch nicht mal so über-spektakulär - aber 40% weniger Strombedarf würde vielen GPUs doch wirklich gut zu Gesicht stehen, oder nicht?

[pippo]

nein, ist es nicht. für dresden war schon immer der start mit 90nm geplant.
Ne, anfangs wollte man gleich mit der 65nm Produktion starten. Wär ja auch bissal unlogisch, wenn man ne Fab für die 65nm Produktion ausrüstet um dann in 90nm zu produzieren (ausser man hat Probleme oder steht kurz vor der Fertigstellung eines neuen Prozesses), oder nicht?

Aber falls du es mir nicht glaubst:
In der Fab36 dagegen sollen nicht nur 300 mm Wafer eingesetzt werden, sondern bereits von Anfang an Kerne in 65 nm Strukturen gefertigt werden

[Gandharva]

Ne, anfangs wollte man gleich mit der 65nm Produktion starten. Wär ja auch bissal unlogisch, wenn man ne Fab für die 65nm Produktion ausrüstet um dann in 90nm zu produzieren (ausser man hat Probleme oder steht kurz vor der Fertigstellung eines neuen Prozesses), oder nicht?

nein, und das wusste ich schon vor über einem jahr.

http://www.forum-3dcenter.org/vbulletin/showthread.php?p=2262173#post2262173

http://www.forum-3dcenter.org/vbulletin/showpost.php?p=3578434&postcount=88

[pippo]

Das heisst noch lange nicht, dass es auch von Anfang an so geplant war. Welcher Sinn steckt denn darin, ne Produktionsanlage von Anfang an so zu planen, dass sie in nem halben Jahr wieder umgestellt werden muss? Vorallem, wenn man sowieso bei Chartered eine 90nm Produktion plant

[Gandharva]

AMD hat das gleiche auch beim umstieg auf 90nm gemacht. es stand schon im QIII 2004 fest das FAB36 zu anfang 90nm produziert.