Samsung stellt PRAM vor (Phase-change RAM) [Archiv]

KinGGoliAth

2006-09-15, 00:34:58

laut sufu ist es neu. :biggrin:

Samsung hat einen ersten Prototypen seines neuen Speichers vorgestellt: "Phase-change RAM", kurz PRAM heißt der neue Speicher.

PRAM soll innerhalb des nächsten Jahrzehnts die heutzutage in Rechner eingesetzten "High Density NOR Flash Chips" ersetzen. Beim vorgestellten Prototypen handelt es sich um einen 512 Megabit-Baustein.

[...]

http://magazine.web.de/de/themen/computer/hightech/technik-trends/2903096,cc=000005480300029030961xYqgb.html

also für mich klingt das ganz gut. wenn ich mir so die lese- und schreibgeschwindigkeit einiger geräte angucke kann man nebenbei locker kaffekochen, zähne putzen oder auf dem klo gemütlich ein ei legen...

Gast

2006-09-15, 09:43:36

Das "Zeug" ist wirklich gut.

Was mir am besten gefällt sind die Zukunftsaussichten vom dem ganzen.

Samsung stellt nämlich auch schon 32GBit Flashspeicher her.

Da eine PRAM Speicherzelle nur halb so groß ist wie bei Flash kann man also mit der gleichen
Prozesstechnik die doppelte Kapazität erreichen, macht 64Gbit.

Wenn man dann auch noch die 4²bit Technik von Ovonic/Ovonyx(?) einbauen kann/könnte die diese Technik
mal ursprünglich entwickelt haben (und inzwischen von Intel aufgekauft wurden) dann könnte man die
Speicherdichte noch einmal vervierfachen; das würde also 256GBit bzw. 32GByte/chip machen.
Mit ein paar wenigen PRAM-chips bekommt man also bereits ansehnliche Speichermengen zusammen
(wenn sich alles ausgeht).

Manfred

stav0815

2006-09-15, 10:00:24

Gast

2006-09-20, 18:01:18

Hm. Steht natürlich rein gar nichts über die Technologie dahinter drin... Schade

Nightspider

2008-12-01, 23:35:31

PRAM, known as perfect RAM, is the next generation memory chip which features the advantages of NAND and NOR flash memories.

Samsung Electronics will begin mass production of 512MB PRAM (Phase change RAM) in the first half of the next year, in an effort to in order to maintain its leadership in the memory market.

The company said that it would begin the mass production of 65nm 512MB PRAM in the first half of the next year for the first time in the world.

"We obtained tens of thousand PRAM samples in the 90 nano processing line. In the end of this year, we will release out pilot products. Next year, we will begin the mass production to allow clients to use and check the performances," Samsung's executives said, as etnews.co.kr report. The company added that its current PRAM products work when its width is less than 10 nanometers, but the it also works even in 7 nanometers, according to the company's research. "We are sure that PRAM will be available as less than 20 nanometer ultra micro memory," Samsung added.

Samsung introduced pilot products of 256MB PRAM for the first time in the world in 2005.

Hynix, Samsung's competitor in the memory market, also plans to complete the development of 54nm 512MB chips in the end of the next year to begin the mass production. Numonyx will also release 45 nano products in the end of the next year.

http://www.cdrinfo.com/Sections/News/Details.aspx?NewsId=24318

Nightspider

2009-05-07, 02:35:28

Samsung beginnt im Juni mit der Serienproduktion von 512 MB PRAM-Chips, welche laut dem Hersteller, bei 10 mal längerer Lebensdauer, 30 mal schneller als Flash-Chips sein sollen.

http://winfuture.de/news,46988.html

moloch

2009-05-07, 08:21:35

Hm. Steht natürlich rein gar nichts über die Technologie dahinter drin... Schade
http://de.wikipedia.org/wiki/PCRAM

basti333

2009-05-07, 10:51:13

hmmm, die sollen schneller sein, mehr speicherkapazität bieten, länger halten....wo ist der haken? Verbrauchen die mehr strom? kostet die herstellung dreimal so viel? Oder gibt es tatsächlich nur vorteile?

Den preis mal außen vor, der wird anfangs so oder so höher sein.

Spasstiger

2009-05-07, 13:19:43

hmmm, die sollen schneller sein, mehr speicherkapazität bieten, länger halten....wo ist der haken?
Der Haken ist, dass man ein neues Fertigungsverfahren mit neuen Materialien braucht, das Samsung wohl nun aber zur Marktreife gebracht hat. Die Entwicklungskosten für das neue Fertigungsverfahren werden sich auf jeden Fall negativ auf den Preis niederschlagen.

EL_Mariachi

2009-05-07, 13:32:35

das werden die "Raptoren" unter den SSDs...

ich freu mich drauf

:D

Coda

2009-05-07, 14:03:00

fdk

2009-05-07, 14:09:43

Ich kann mir nicht Vorstellen das das ganze besonders Energiesparend ist, immerhin muss das Material zum Löschen auf 600° und zum Schreiben auf 400° aufgeheizt werden*. Aber die übrigen Eigenschaften hören sich ganz Ordentlich an. Von Intel gibt es auch schon samples die 4 states annehmen können und so 2 bit / Zelle speichern.

*http://en.wikipedia.org/wiki/GeSbTe

Gast

2009-05-07, 16:09:31

Der Durchsatz ist auch mit Flash schon hoch genug. Viel interessanter ist ob sich PRAM besser beschreiben lässt. Flash hat da ja schon so einige Nachteile (nur blockweises Löschen, Wear-Leveling usw.)

http://en.wikipedia.org/wiki/Phase-change_memory

etwas weiter unten, bit weises löschen ist möglich

FlashBFE

2009-05-07, 16:11:04

Der Durchsatz ist auch mit Flash schon hoch genug.
Nein, wenn ich sehe dass mein 32GB Usb-Stick auch lesend nur knapp über 10MB/s kommt oder meine 4GB SDHC Karte vielleicht über 15, dann ist das noch lange nicht genug. SSDs sind auch nur durch extreme Parallelschaltung so schnell, aber das geht nicht bei jedem Gerät.

Spasstiger

2009-05-08, 23:13:53

Der Durchsatz ist auch mit Flash schon hoch genug. Viel interessanter ist ob sich PRAM besser beschreiben lässt. Flash hat da ja schon so einige Nachteile (nur blockweises Löschen, Wear-Leveling usw.)
Die Schreibgeschwindigkeit soll mit der größte Vorteil von PRAM gegenüber NAND-Flash sein.

Nightspider

2010-04-30, 00:05:10

Es geht zwar nur langsam voran...aber es geht voran...

http://www.computerbase.de/news/hardware/arbeitsspeicher/2010/april/samsung_mcp_pram/

mapel110

2010-04-30, 01:56:50

Nicht mehr viel übrig geblieben von den Vorteilen. Nur noch 3x so schnell wie NAND-Flash anstatt 30x. ^^

Eggcake

2010-04-30, 02:00:53

Da steht nix von NAND?! Oder übersehe ich etwas?

Auf Anhieb grad nicht viel gefunden, aber bei diesem (http://www2.electronicproducts.com/NAND_vs_NOR_flash_technology-article-FEBMSY1-FEB2002.aspx) etwas älteren Artikel wird davon gesprochen, dass NAND "significantly" schneller schreibt als NOR. Dann muss ja PRAM ziemlich scheisse sein.

mapel110

2010-04-30, 02:03:04

Okay, da steht NOR-Flash. Großer Unterschied in Performance?!

Gast

2010-04-30, 02:15:40

Ach, Du schöne D-Mark, komm bitte wieder zurück!

Eggcake

2010-04-30, 02:19:01

Okay, da steht NOR-Flash. Großer Unterschied in Performance?!

Der Writespeed von NOR ist erbärmlich (mal danach Googeln) soweit ich informiert bin.
Wenn man dieses (http://maltiel-consulting.com/NAND_vs_NOR_Flash_Memory_Technology_Overview_Read_Write_Erase_speed_for_SLC_MLC_ semiconductor_consulting_expert.pdf)PDF betrachtet:

NOR

Read: 103 MB/s
Write: 0.47 MB/s
Erase: 900 ms

NAND

Read: 18.6 MB/s
Write: 2.4 MB/s
Erase: 2 ms

So als Beispiel...unterm Strich dürfte 3x schnellerer Write als NOR immernoch langsamer als NAND sein...

Spasstiger

2010-04-30, 03:01:48

Wird wohl wirklich nur ein Ersatz für NOR-Speicher sein, nicht für NAND-Speicher. Also z.B. als Programmspeicher für Handys, Settop-Boxen oder Navigationsgeräte.

mboeller

2010-04-30, 10:01:05

im Original von Samsung finde ich nichts von Write-Performance:

PRAM, which stores data via the phase change characteristics of its base material, an alloy of germanium, antimony and titanium, provides three-times faster data storage performance per word than NOR chips. This new PRAM-packaged memory combines the nonvolatile nature of flash memory with the high-speed capability of DRAM. Its simple cell structure makes designing MCP chips for handsets a faster and easier process, with the imminent use of 30nm-class and finer process node technology to overcome long-time design difficulties inherent in NOR flash technology.

link: http://www.samsung.com/us/aboutsamsung/news/newsIrRead.do?news_ctgry=irnewsrelease&page=1&news_seq=18828&rdoPeriod=ALL&from_dt=&to_dt=&search_keyword=

das kann sich auch auf die Lesegeschwindigkeit beziehen. Der Vergleich mit DRAM legt das aus meiner Sicht auch nahe.

Spasstiger

2010-04-30, 12:07:35

Der Vergleich mit DRAM bezieht sich eher auf den Verwendungszweck als auf die Performance. PRAM kannst du z.B. in einem Smartphone als Arbeitsspeicher verwendem, in dem das Betriebssystem und die Anwendungen residieren. Vorteile:
- Gerät bootet schnell, da das OS beim Einschalten schon im Hauptspeicher liegt
- Keine DRAM-Chips erforderlich -> Kostensenkung, geringere Leistungsaufnahme

Aktuell setzen die meisten Smartphones aber NAND-Flash als Hauptspeicher ein, obwohl es für diesen Verwendungszweck gewichtige Nachteile hat:
- NAND erlaubt keine wahlfreien Zugriffe auf einzelne Bytes/Wörter, nur seitenweise Zugriffe sind möglich (Blöcke von je 512 Byte oder mehr) -> zusätzlicher (kleiner) DRAM oder NOR-Flash erforderlich, um wahlfreie Zugriffe zu ermöglichen
- Nur relativ wenige Löschzyklen (5.000 - 10.000 bei MLC) sind möglich -> spezielle Zugriffsstrategien bei Verwendung als RAM -> zusätzlicher DRAM oder NOR-Flash erforderlich
- Niedrige Lesegeschwindigkeit
NOR und PRAM eignen sich wesentlich besser für die Verwendung als RAM, sind aber nur mit relativ kleinen Kapazitäten verfügbar und teurer als NAND. Zudem ist NOR halt beim Schreiben deutlich langsamer als NAND. PRAM zieht evtl. mit NAND gleich beim Schreiben, da muss man mal offizielle Datenblätter abwarten.

Von DDR3- oder GDDR5-SDRAM ist PRAM aber mit Sicherheit meilenweit entfernt, was die Performance angeht. Ich denke nicht, dass man PRAM je in einem Desktop- oder Notebook-PC sehen wird.

Eggcake

2010-04-30, 12:12:49

Denke ich auch, Spasstiger. Auch NOR kann man als DRAM bezeichnen, da es "Random Access" ist - NAND eben nicht. So schnell wie DRAM ist das niemals (auch wenn sich die 3x auf die Lesegeschwindigkeit beziehen sollten).

Aber eben: Ergebnisse abwarten. Bin aber nicht wirklich erfreut über die News, hätte gedacht dass es mehr einschlägt...

Edit:@Spasstiger
Die Handys setzen echt NAND als "RAM" ein?

Spasstiger

2010-04-30, 12:20:48

Anscheinend verwenden 60% aller High-End-Smartphones eine Kombination aus NAND-Speicher und DRAM als Hauptspeicher. Die News finde ich gerade nicht mehr. Auch interessant: Apple buying up available flash RAM supplies for next iPhone (http://www.appleinsider.com/articles/09/02/18/apple_buying_up_available_flash_ram_supplies_for_next_iphone.html).
NOR-RAM findet man eher bei den Low-End-Teilen, wo nicht viel RAM erforderlich ist. Und reiner DRAM scheint wohl sowieso die Ausnahme zu sein. Als schneller Zwischenspeicher muss der Prozessorcache reichen.

Eggcake

2010-04-30, 12:26:05

Ich glaube in der News werden aber Dinge vertauscht...die sprechen nicht vom RAM, wenn ich diesen Satz lese:

Apple has historically put more RAM capacity in its iPhone than other smartphone vendors. The original model offered 4 or 8GB at a time when virtually no other smartphones gave users more than 128MB, then the typical high-end limit for many mobile operating systems.

8GB RAM? ^^

Spasstiger

2010-04-30, 12:40:24

Das iPhone scheint wirklich 8 GiB RAM und mehr zu haben, weil Apple den ganzen Speicher als Programmspeicher für Apps versteht. Bei den meisten Geräten hat man einen reinen Flash-Speicher mit eben dieser Kapazität und einen Flash-RAM mit derzeit rund 192-512 MiB Kapazität. Unter Windows Mobile wird z.B. ein Teil davon als Programmspeicher und ein Teil als Datenspeicher zugewiesen. Du kannst das halt nur nicht mit DDR-SDRAM vergleichen. Die Performance von Flash-RAM ist um Größenordnungen schlechter.

Eggcake

2010-04-30, 12:44:23

Das iPhone 3GS hat 256MB RAM und das 3G 128MB...oder etwa nicht?

Mag sein, dass das vom internen ROM abgezwackt wird, aber deshalb den ganzen Flash als RAM bezeichnen...wat?

Spasstiger

2010-04-30, 12:47:10

Da NAND alleine nicht als RAM taugt, kann es gut sein, dass Apple zusätzlich 256 MiB DRAM verbaut hat. Der Flash-RAM bildet zusammen mit dem DRAM eine logische Einheit, die aus Betriebssystemsicht dem Arbeitsspeicher entspricht.
/EDIT: Wenn ich nach dem gehe, scheint das iPhone allerdings einen dedizierten RAM als Arbeitsspeicher zu verwenden: http://www.taptaptap.com/blog/the-impact-of-the-iphone-3gs-ram-increase/.
Dann liegt der Flash-Speicher in der Hierarchie eine Stufe drunter. Vielleicht heißt auch einfach nur der Speichertyp, den Apple verwendet, Flash-RAM, auch wenn er nicht als RAM verwendet wird.
In jedem Fall ist es nicht unüblich DRAM durch Flash-RAM zu ersetzen. Gerade bei den ganzen Low-End-Mobiltelefonen wird man wahrscheinlich gar keinen DRAM, sondern nur NOR-Flash-RAM finden. Die Implementierung ist bei NOR-Flash genauso einfach wie bei DRAM, NOR-Flash hat aber den Vorteil, dass er nicht flüchtig ist und man somit auf eine tiefere Speicherhierachie verzichten kann.

Gast

2010-04-30, 14:46:36

Nicht mehr viel übrig geblieben von den Vorteilen. Nur noch 3x so schnell wie NAND-Flash anstatt 30x. ^^

Vielleicht liegt es daran, daß man ihn so gebaut hat, daß er sich gut in alte Systeme integriert?

Der 512 Mbit große PRAM-Chip ist auf Hardware- und Softwareebene abwärtskompatibel zu 40-nm-NOR-Flash und soll sich daher von Designern leicht implementieren lassen.

Eggcake

2010-04-30, 15:26:14

@Spasstiger

NOR-Flash als RAM ist natürlich klar, aber an NAND glaube ich eher weniger, da es, wie gesagt, gar nicht "Random Access" tauglich ist...

FlashBFE

2010-04-30, 16:24:53

@ Gast: Das ist auch das Sinnvollste, was die machen konnten. Denn erst, wenn sich der PRAM etabliert, lohnt es sich, finanziell noch mehr in die Weiterentwicklung reinzustecken. Und dafür passen vorhandene oder geplante Geräte, wo man sich durch etwas bessere Performance reinzwängen kann, eben besser als wenn man erst ein neues Marktsegement aufmacht, worauf die Hersteller höchstens langfristig hinentwickeln können.
Denn eins steht fest: Flash entwickelt sich auch noch etwas weiter.