Tigerauge
2007-08-11, 21:32:56
Ich habe im Moment 3 GB RAM in meinem Rechner, möchte aber vorerst wieder auf 2 GB zurück. Im Moment sind bei mir 2 x 512 MB Infineon RAM und 2 x 1 GB Infineon RAM eingebaut. 2 x 512 Samsung-RAM habe ich noch hier bei mir liegen. Diese waren auch schon im Rechner bevor ich die 2 x 1 GB-Riegel gekauft habe.
Die 2 x 512 + 2 x 1 GB laufen ohne Probleme im DualChannel. Leider waren die 2 x 1 GB sehr unterschiedlich. Der 1 Riegel läuft mit 3-4-4-8. Die 3 anderen Riegel können 3-3-3-8. Aber das Board spricht die 3 anderen Riegel jetzt natürlich auch "nur" mit 3-4-4-8 an. Außerdem unterstützen beide 1 GB-Riegel kein "Early RAS-Precharge".
In meinem BIOS kann ich leider keine Timings einstellen (Deutschland PC, Asus/Fujitsu-Siemens)
Die Frage ist nun. Mit welcher Kombination erreiche ich eine bessere Leistung. Mit meinen 2 x 1 GB-Riegeln oder mit 4 x 512.
Soweit ich weiß, schaltet/spricht der Speichercontroller bei 4 Riegeln den RAM nur noch mit "Command 2T" an.
Was bringt mir nun mehr Leistung. 4 x 512 MB RAM mit 3-3-3-8 Timings, aber 2T Command, oder 2 x 1 GB RAM mit 3-4-4-8 Timings, aber (vorraussichtlich) 1T Command?
Hier mal die genauen Daten der bisher benutzten Module:
CPU:
Informationsliste Wert
CPU-Eigenschaften
CPU Typ DualCore AMD Athlon 64 X2, 2217 MHz (11 x 202) 4200+
CPU Bezeichnung Manchester
CPU stepping BH-E4
Befehlssatz x86, x86-64, MMX, 3DNow!, SSE, SSE2, SSE3
Vorgesehene Taktung 2200 MHz
Min / Max CPU Multiplikator 4x / 11x
L1 Code Cache 64 KB per core (Parity)
L1 Datencache 64 KB per core (ECC)
L2 Cache 512 KB per core (On-Die, ECC, Full-Speed)
Multi CPU
Motherboard ID OEM00000 PROD00000000
CPU #0 AMD Athlon(tm) 64 X2 Dual Core Processor 4200+, 2216 MHz
CPU #1 AMD Athlon(tm) 64 X2 Dual Core Processor 4200+, 2216 MHz
CPU Technische Informationen
Gehäusetyp 939 Pin uOPGA
Gehäusegröße 4.00 cm x 4.00 cm
Transistoren 233.2 Mio.
Fertigungstechnologie 11Mi, 90 nm, CMOS, Cu, SOI
Gehäusefläche 199 mm2
Core Spannung 1.350 - 1.400 V
I/O Spannung 1.2 V + 2.5 V
Maximale Leistung 89 - 110 W (Abhängig von der Taktung)
CPU Hersteller
Firmenname Advanced Micro Devices, Inc.
Produktinformation http://www.amd.com/us-en/Processors/ProductInformation/0,,30_118,00.html
CPU Auslastung
1. CPU / 1. Kern 7 %
1. CPU / 2. Kern 6 %
RAM 1:
Informationsliste Wert
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname 102463403
Seriennummer Keine
Modulgröße 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
RAM 2:
Informationsliste Wert
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Seriennummer Keine
Modulgröße 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-4-4-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
RAM 3:
Informationsliste Wert
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname Infineon 64D64300HU5C
Seriennummer 040D3023h (590351620)
Herstellungsdatum Woche 22 / 2006
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-13-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-11-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-9-2 (RC-RFC-RRD)
Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller
Firmenname Infineon Technologies AG
Produktinformation http://www.infineon.com/cgi-bin/ifx/portal/ep/home.do?tabId=1
RAM 4:
Informationsliste Wert
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname Infineon 64D64300HU5B
Seriennummer 02051F12h (304022786)
Herstellungsdatum Woche 7 / 2006
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-13-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-11-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-9-2 (RC-RFC-RRD)
Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller
Firmenname Infineon Technologies AG
Produktinformation http://www.infineon.com/cgi-bin/ifx/portal/ep/home.do?tabId=1
Die beiden anderen 512er-Riegel die ich hier noch habe, haben die selben Daten wie die beiden 512er Infineon-Riegel im Rechner.
Wenn noch weitere Informationen fehlen, bitte schreiben :biggrin:
Die 2 x 512 + 2 x 1 GB laufen ohne Probleme im DualChannel. Leider waren die 2 x 1 GB sehr unterschiedlich. Der 1 Riegel läuft mit 3-4-4-8. Die 3 anderen Riegel können 3-3-3-8. Aber das Board spricht die 3 anderen Riegel jetzt natürlich auch "nur" mit 3-4-4-8 an. Außerdem unterstützen beide 1 GB-Riegel kein "Early RAS-Precharge".
In meinem BIOS kann ich leider keine Timings einstellen (Deutschland PC, Asus/Fujitsu-Siemens)
Die Frage ist nun. Mit welcher Kombination erreiche ich eine bessere Leistung. Mit meinen 2 x 1 GB-Riegeln oder mit 4 x 512.
Soweit ich weiß, schaltet/spricht der Speichercontroller bei 4 Riegeln den RAM nur noch mit "Command 2T" an.
Was bringt mir nun mehr Leistung. 4 x 512 MB RAM mit 3-3-3-8 Timings, aber 2T Command, oder 2 x 1 GB RAM mit 3-4-4-8 Timings, aber (vorraussichtlich) 1T Command?
Hier mal die genauen Daten der bisher benutzten Module:
CPU:
Informationsliste Wert
CPU-Eigenschaften
CPU Typ DualCore AMD Athlon 64 X2, 2217 MHz (11 x 202) 4200+
CPU Bezeichnung Manchester
CPU stepping BH-E4
Befehlssatz x86, x86-64, MMX, 3DNow!, SSE, SSE2, SSE3
Vorgesehene Taktung 2200 MHz
Min / Max CPU Multiplikator 4x / 11x
L1 Code Cache 64 KB per core (Parity)
L1 Datencache 64 KB per core (ECC)
L2 Cache 512 KB per core (On-Die, ECC, Full-Speed)
Multi CPU
Motherboard ID OEM00000 PROD00000000
CPU #0 AMD Athlon(tm) 64 X2 Dual Core Processor 4200+, 2216 MHz
CPU #1 AMD Athlon(tm) 64 X2 Dual Core Processor 4200+, 2216 MHz
CPU Technische Informationen
Gehäusetyp 939 Pin uOPGA
Gehäusegröße 4.00 cm x 4.00 cm
Transistoren 233.2 Mio.
Fertigungstechnologie 11Mi, 90 nm, CMOS, Cu, SOI
Gehäusefläche 199 mm2
Core Spannung 1.350 - 1.400 V
I/O Spannung 1.2 V + 2.5 V
Maximale Leistung 89 - 110 W (Abhängig von der Taktung)
CPU Hersteller
Firmenname Advanced Micro Devices, Inc.
Produktinformation http://www.amd.com/us-en/Processors/ProductInformation/0,,30_118,00.html
CPU Auslastung
1. CPU / 1. Kern 7 %
1. CPU / 2. Kern 6 %
RAM 1:
Informationsliste Wert
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname 102463403
Seriennummer Keine
Modulgröße 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
RAM 2:
Informationsliste Wert
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Seriennummer Keine
Modulgröße 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-4-4-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
RAM 3:
Informationsliste Wert
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname Infineon 64D64300HU5C
Seriennummer 040D3023h (590351620)
Herstellungsdatum Woche 22 / 2006
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-13-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-11-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-9-2 (RC-RFC-RRD)
Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller
Firmenname Infineon Technologies AG
Produktinformation http://www.infineon.com/cgi-bin/ifx/portal/ep/home.do?tabId=1
RAM 4:
Informationsliste Wert
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname Infineon 64D64300HU5B
Seriennummer 02051F12h (304022786)
Herstellungsdatum Woche 7 / 2006
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-13-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-11-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-9-2 (RC-RFC-RRD)
Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller
Firmenname Infineon Technologies AG
Produktinformation http://www.infineon.com/cgi-bin/ifx/portal/ep/home.do?tabId=1
Die beiden anderen 512er-Riegel die ich hier noch habe, haben die selben Daten wie die beiden 512er Infineon-Riegel im Rechner.
Wenn noch weitere Informationen fehlen, bitte schreiben :biggrin: