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Archiv verlassen und diese Seite im Standarddesign anzeigen : Mit welcher Konfig. die beste Leistung?


Tigerauge
2007-08-11, 21:32:56
Ich habe im Moment 3 GB RAM in meinem Rechner, möchte aber vorerst wieder auf 2 GB zurück. Im Moment sind bei mir 2 x 512 MB Infineon RAM und 2 x 1 GB Infineon RAM eingebaut. 2 x 512 Samsung-RAM habe ich noch hier bei mir liegen. Diese waren auch schon im Rechner bevor ich die 2 x 1 GB-Riegel gekauft habe.

Die 2 x 512 + 2 x 1 GB laufen ohne Probleme im DualChannel. Leider waren die 2 x 1 GB sehr unterschiedlich. Der 1 Riegel läuft mit 3-4-4-8. Die 3 anderen Riegel können 3-3-3-8. Aber das Board spricht die 3 anderen Riegel jetzt natürlich auch "nur" mit 3-4-4-8 an. Außerdem unterstützen beide 1 GB-Riegel kein "Early RAS-Precharge".

In meinem BIOS kann ich leider keine Timings einstellen (Deutschland PC, Asus/Fujitsu-Siemens)

Die Frage ist nun. Mit welcher Kombination erreiche ich eine bessere Leistung. Mit meinen 2 x 1 GB-Riegeln oder mit 4 x 512.

Soweit ich weiß, schaltet/spricht der Speichercontroller bei 4 Riegeln den RAM nur noch mit "Command 2T" an.

Was bringt mir nun mehr Leistung. 4 x 512 MB RAM mit 3-3-3-8 Timings, aber 2T Command, oder 2 x 1 GB RAM mit 3-4-4-8 Timings, aber (vorraussichtlich) 1T Command?

Hier mal die genauen Daten der bisher benutzten Module:

CPU:

Informationsliste Wert
CPU-Eigenschaften
CPU Typ DualCore AMD Athlon 64 X2, 2217 MHz (11 x 202) 4200+
CPU Bezeichnung Manchester
CPU stepping BH-E4
Befehlssatz x86, x86-64, MMX, 3DNow!, SSE, SSE2, SSE3
Vorgesehene Taktung 2200 MHz
Min / Max CPU Multiplikator 4x / 11x
L1 Code Cache 64 KB per core (Parity)
L1 Datencache 64 KB per core (ECC)
L2 Cache 512 KB per core (On-Die, ECC, Full-Speed)

Multi CPU
Motherboard ID OEM00000 PROD00000000
CPU #0 AMD Athlon(tm) 64 X2 Dual Core Processor 4200+, 2216 MHz
CPU #1 AMD Athlon(tm) 64 X2 Dual Core Processor 4200+, 2216 MHz

CPU Technische Informationen
Gehäusetyp 939 Pin uOPGA
Gehäusegröße 4.00 cm x 4.00 cm
Transistoren 233.2 Mio.
Fertigungstechnologie 11Mi, 90 nm, CMOS, Cu, SOI
Gehäusefläche 199 mm2
Core Spannung 1.350 - 1.400 V
I/O Spannung 1.2 V + 2.5 V
Maximale Leistung 89 - 110 W (Abhängig von der Taktung)

CPU Hersteller
Firmenname Advanced Micro Devices, Inc.
Produktinformation http://www.amd.com/us-en/Processors/ProductInformation/0,,30_118,00.html

CPU Auslastung
1. CPU / 1. Kern 7 %
1. CPU / 2. Kern 6 %


RAM 1:

Informationsliste Wert
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname 102463403
Seriennummer Keine
Modulgröße 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh

Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)

Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt


RAM 2:

Informationsliste Wert
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Seriennummer Keine
Modulgröße 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh

Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-4-4-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)

Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt


RAM 3:

Informationsliste Wert
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname Infineon 64D64300HU5C
Seriennummer 040D3023h (590351620)
Herstellungsdatum Woche 22 / 2006
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh

Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-13-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-11-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-9-2 (RC-RFC-RRD)

Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt

Speichermodulhersteller
Firmenname Infineon Technologies AG
Produktinformation http://www.infineon.com/cgi-bin/ifx/portal/ep/home.do?tabId=1


RAM 4:

Informationsliste Wert
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname Infineon 64D64300HU5B
Seriennummer 02051F12h (304022786)
Herstellungsdatum Woche 7 / 2006
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh

Speicher Timings
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-13-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-11-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-9-2 (RC-RFC-RRD)

Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt

Speichermodulhersteller
Firmenname Infineon Technologies AG
Produktinformation http://www.infineon.com/cgi-bin/ifx/portal/ep/home.do?tabId=1


Die beiden anderen 512er-Riegel die ich hier noch habe, haben die selben Daten wie die beiden 512er Infineon-Riegel im Rechner.

Wenn noch weitere Informationen fehlen, bitte schreiben :biggrin:

HisN
2007-08-11, 22:42:52
Kommt auf Deine Anwendungen an.

Der Unterschied zwischen 1T/2T ist lächerlich. Irgendwas um 2%.
Ich weiß gar nicht warum sich alle so wegen 1T/2T ins Hemd machen. Der Geschwindigkeits-Gewinn durch den Mehrspeicher ist auch deutlicher als das runtertakten auf 333Mhz, auch das ist nämlich in der Größenordnung um 1T/2T einzuordnen. Wenn Du viel Bildbearbeitung machst dann kann der Unterschied zwischen 2GB und 3GB gerne mal 25% betragen. Wenn Du nur zoggst wird das schwieriger zu beantworten sein. Ich schätze mal es könnte Dich 1% FPS kosten. Also von 31 zu 30FPS oder von 100 zu 99FPS.

Aber am besten Du testest das mit Sandra aus, da sind die Unterschiede gewaltiger, für jemanden der gerne mit Sandra arbeitet geht die 3GB-Lösung gar nicht^^

Nein ganz im Ernst: 2x1GB ist für den Speicherkontroller einfacher. Performance-Technisch würde ich diese Kombi wählen. Aber wie gesagt: Alles prökeln im Promillebereich.

Tigerauge
2007-08-11, 22:51:56
Ich benutze den PC hauptsächlich zum zocken (Warcraft 3, World of Warcraft, Gothic 3)

Zwei GB reichen mir locker bei XP, hatte ich vorher auch. 3 GB hatte ich nur wegen einem Windows Vista Langzeit-Test im Rechner.

DDR400 läuft mit allen Kombinationen, egal was ich zusammenstelle, das hatte ich schon getestet. 200 MhZ Takt ist immer gewährleistet.

Mir geht es eben darum ob die langsameren Timings der beiden 1 GB-Riegel und das nicht vorhandene "Early RAS-Precharge" die Leistung merklich einschränken.

HisN
2007-08-11, 22:55:14
Nein. Weder merklich noch unmerklich. Dieses ganze Subtiming-Gezocke ist nur ein Marketing-Gag, vorne am Monitor kommt davon nix an.

Tigerauge
2007-08-11, 23:06:40
Hm, wenn das so ist, dann würde ich selbst doch lieber wieder auf meine alte Konfiguration mit 4 x 512 MB zurückgreifen. Mir erscheinen die beiden 1 GB-Riegel irgendwie sehr "alt" :D

Danke jedenfalls für die Erklärungen, aber ich hoffe es melden sich noch andere die evtl. weitere Erfahrungsberichte parat haben? ;-)

Destiny06
2007-08-14, 23:45:34
also ich musste festellen das 1t gegenüber 2t bei mir in WoW, teils 5fps mehr bringen is wirklich so, habs getestet