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Archiv verlassen und diese Seite im Standarddesign anzeigen : transistor-arten bei RAMs


Binaermensch
2003-09-10, 18:24:50
moin

welche technologie wird bei sdram verwendet?

falls CMOS: warum werden dann die fertigungsprozesse nicht ebenso wie bei prozessoren ständig verkleinert?
falls irgendwas anderes: warum nicht CMOS?

ow
2003-09-10, 19:11:59
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Binaermensch
2003-09-10, 20:24:51
oh.. hatte net erwartet dass die echt schon in so kleinen fertigungsprozessen gefertigt werden.
warum sind die RAM-chips dann (rein physisch) immernoch so groß? müssten die net viel kleiner sein?
wenn man bedenkt wieviele millionen transistoren da auf nen cm² passen..

ow
2003-09-10, 20:29:21
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GloomY
2003-09-11, 00:14:59
Original geschrieben von ow
Das sind nicht die RAM-Chips (das DIE des RAM), das so gross ist, sondern nur das Gehäuse mit den Pins aussen dran (oder unten drunter, je nach Bauform).
Das eigentliche RAM-DIE ist nur wenige mm² gross aber irgendwie müssen da ja die Kontakte dran. Auf einen DRAM Speicherchip mit 512 Mb Kapazität sitzen 536 Mio. Transistoren. Das nimmt schon eine gewisse Fläche ein. Sicherlich lässt sich DRAM deutlich besser integrieren als z.B. CPUs oder andere Halbleiterbausteine, aber man braucht für den Die schon in etwa die Fläche, die dann auch durch das Packaging letztendlich sichtbar ist.

Aber ow hat schon Recht: Die Kontakte müssen natürlich auch untergebracht werden, daher würde es eh nicht viel bringen, das Die selbst kleiner zu machen.

Quasar
2003-09-11, 09:31:49
Gloomy, meinst du 512MegaByte oder MegaBit? AFAIK gibt's einzelne Chips mit 512MByte noch nicht, oder?

ow
2003-09-11, 09:49:05
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GloomY
2003-09-11, 11:03:25
Original geschrieben von Quasar
Gloomy, meinst du 512MegaByte oder MegaBit?Mb = Megabit, MB = MegaByte
Original geschrieben von Quasar
AFAIK gibt's einzelne Chips mit 512MByte noch nicht, oder?Nein, momentan sind 512 Mb = 64 MB pro Chip das Maximum.

mrdigital
2003-09-16, 12:35:25
Die Speicherhersteller verwenden afaik "spezielle" CMOS Verfahren, sprich sie haben eigene Transitortypen entwickelt, da man bei RAM Zellen besondere Anforderungen an die Geometrie der einzelnen Transistoren hat ( man will ja möglichst viele auf minimaler Fläche unterbringen ) . Insofern sind die Prozesstechnologien nicht direkt mit den "herkömmlichen" Verfahren vergleichbar. Und die Fertigungsverfahren werden ständig verkleinert, nur haben RAM Zellen wie gesagt andere Anforderungen als Transistoren in CPU´s. Das liegt daran, das eine einzelne DRam Zelle aus einem Transistor mit einem Kondensator besteht und ein Kondensator ist ja nichts anderes als zwei (nichtleitend) gegenüberstehnde leitfähige Flächen. Deshalb werden die Transistoren direkt mit den Kondensatoren "verheiratet" indem man die Zuleitungen als Kondensator verwendet. Nun kann man den Kondensator nicht beliebig verkleinern, da sich sonst seine Kapazität mitverkleinert und sich sonst keine funktionstüchtige RAM-Zelle mehr bauen lässt.
Gruss mrdigital

ow
2003-09-16, 19:12:56
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mrdigital
2003-09-16, 21:31:45
@ow in meinem Impuls und Digitaltechnikskript reden die von Trenched und Stacked Zellen und sagen das das nicht mehr CMOS wäre (naja da kann man sich nun streiten, ist wohl ein CMOS Derivat) ;)
Grüsse mrdigital

ow
2003-09-16, 22:01:52
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